| 南台科技大學 |
2021-11 |
GaAs-Based p-i-n Narrow Bandpass 850 nm IR Photodetector With a p-AlGaAs Filter Layer
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Chun-Kai Wang;Yu-Zung Chiou;Yi-Lo Huang |
| 臺大學術典藏 |
2018-09-10T07:35:54Z |
GaAs-based transverse junction superluminescent diode at 1.1um wavelength region
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Guol, S.-H.;Chou, M.-G.;Wang, J.-H.;Yang, Y.-J.;Sun, C.-K.;Shi, J.-W.; Guol, S.-H.; Chou, M.-G.; Wang, J.-H.; Yang, Y.-J.; Sun, C.-K.; Shi, J.-W.; CHI-KUANG SUN |
| 臺大學術典藏 |
2018-09-10T08:14:03Z |
GaAs-based transverse junction superluminescent diodes with strain-compensated InGaAs-GaAsP multiple-quantum-wells at 1.1-μm wavelength
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Guol, S.-H.;Chou, M.-G.;Yang, Y.-J.;Sun, C.-K.;Shi, J.-W.; Guol, S.-H.; Chou, M.-G.; Yang, Y.-J.; Sun, C.-K.; Shi, J.-W.; CHI-KUANG SUN |
| 臺大學術典藏 |
2010 |
GaAs-Based Transverse Junction Superluminescent Diodes with Strain-Compensated InGaAs/GaAsP Multiple-Quantum-Wells at 1.1μm Wavelength
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Guol, Shi-Hao; Chou, Ming-Ge; Yang, Ying-Jay; Sun, Chi-Kuang; Shi, Jin-Wei; Guol, Shi-Hao; Chou, Ming-Ge; Yang, Ying-Jay; Sun, Chi-Kuang; Shi, Jin-Wei |
| 國立臺灣大學 |
2010 |
GaAs-Based Transverse Junction Superluminescent Diodes with Strain-Compensated InGaAs/GaAsP Multiple-Quantum-Wells at 1.1μm Wavelength
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Guol, Shi-Hao; Chou, Ming-Ge; Yang, Ying-Jay; Sun, Chi-Kuang; Shi, Jin-Wei |
| 國立成功大學 |
1999 |
GAAS-BASED 微波主動元件之研究
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蘇炎坤; 王永和; 王瑞祿 |
| 國立成功大學 |
1999 |
GaAs-Based 微波主動元件之研究-子計劃二：PHEMT 微波功率元件之研究
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王永和 |
| 國立成功大學 |
1999 |
GAAS-BASED 微波主動元件之研究-子計畫一：HBT 高頻元件之研製
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蘇炎坤 |
| 國立高雄師範大學 |
1998-08 |
GaAs-Based微波主動元件之研究---子計畫III：HBT高頻元件等效電路之研究
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王瑞祿; Ruey-Lue Wang |
| 國立高雄師範大學 |
1998-08 |
GaAs-Based微波主動元件之研究---總計畫
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蘇炎坤;王永和;王瑞祿; Ruey-Lue Wang |
| 國立高雄師範大學 |
1995 |
GaAs-InGaAs doping-channel negative-differential-resistance field-effect transistor (NDRFET)
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Jung-Hui Tsai;Wen-Chau Liu;Lih-Wen Laih;Kong-Beng Thei;Cheng-Zu Wu;Wen-Shiung Lour;Yuan-Tzu Liu;Rong-Chau Liu; 蔡榮輝 |
| 國立中山大學 |
2003-02-24 |
GaAs/Al0.3Ga0.7As雙量子井之二維電子氣在低溫高磁場下的傳導研究
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何珮綺 |
| 國立成功大學 |
1997 |
GaAs/AlAs 超晶格界面混雜現象的研究
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盧炎田 |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:17:37Z |
GaAs/AlAs/GaAs量子結構的導納頻譜分析
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徐念慶; Hsu, Nian-Ching; 陳振芳; Jenn-Fang Chen |
| 國立成功大學 |
1996 |
GaAs/AlAs夾層結構中的載子動力學(II)
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盧炎田 |
| 國立成功大學 |
1995 |
GaAs/AlAs夾層結構的載子動力學研究 (I)
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盧炎田 |
| 臺大學術典藏 |
2018-09-10T03:28:33Z |
GaAs/AlGaAs multiple quantum well GRIN-SCH vertical cavity surface emitting laser diodes
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Wang, YH;Tai, K;Wynn, JD;Hong, M;Fischer, RJ;Mannaerts, JP;Cho, AY; Wang, YH; Tai, K; Wynn, JD; Hong, M; Fischer, RJ; Mannaerts, JP; Cho, AY; MINGHWEI HONG |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:07:11Z |
GaAs/AlGaAs量子井電子傳輸的幾何效應
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陳益德; CHEN,YI-DE; 汪大暉; WANG,DA-HUI |
| 臺大學術典藏 |
2018-09-10T03:46:45Z |
GaAs/AlxGa1- xAs quantum well infra-red photodetectors with cutoff wavelength $λ$c= 14.9 $μ$m
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Zussman, A; Levine, BF; Hong, Mingyi; Mannaerts, JP; MINGHWEI HONG |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:53:33Z |
GaAs/In(0.5)Ga(0.5)P 雙接面太陽能電池磊晶與製程的設計
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林志遠; Lin, Chih Yuan; 余沛慈; Yu, Pei Chen |
| 國立臺灣大學 |
2009 |
GaAs0.7Sb0.3/GaAs type-II quantum well laser with an adjacent InAs quantum-dot layer
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Lin, Y.R.; Lin, H.H.; Chu, J.H. |
| 臺大學術典藏 |
2018-09-10T07:41:12Z |
GaAs0.7Sb0.3/GaAs type-II quantum well laser with an adjacent InAs quantum-dot layer
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Y. R. Lin, H. H. Lin,;J. H. Chu; Y. R. Lin, H. H. Lin,; J. H. Chu; HAO-HSIUNG LIN |
| 國立成功大學 |
2009-03-16 |
GaAs0.7Sb0.3/GaAs type-II quantum well with an adjacent InAs quantum-dot stressor layer
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Lin, You-Ru; Lai, Yi-Feng; Liu, Chuan-Pu; Lin, Hao-Hsiung |
| 國立臺灣大學 |
2009 |
GaAs0.7Sb0.3/GaAs type-II quantum well with an adjacent InAs quantum-dot stressor layer
|
Lin, You-Ru; Lai, Yi-Feng; Liu, Chuan-Pu; Lin, Hao-Hsiung |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T00:57:08Z |
GaAsN/GaAs量子井中 光激發引致電滯曲線於不同溫度與電場之分析
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廖思雅; Liao, Siya; 陳振芳; Chen, Jenn-Fang |
